GaAs Substrate
چۈشەندۈرۈش
Gallium Arsenide (GaAs) مۇھىم ۋە پىشقان گۇرۇپپا III-Ⅴ بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ، ئۇ ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ۋە مىكرو ئېلېكترون ساھەسىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ.GaAs ئاساسلىقى يېرىم ئىزولياتورلۇق GaA ۋە N تىپلىق GaA دىن ئىبارەت ئىككى تۈرگە ئايرىلىدۇ.يېرىم ئىزولياتسىيىلىك GaAs ئاساسلىقى MESFET ، HEMT ۋە HBT قۇرۇلمىسى بىلەن توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ياساشقا ئىشلىتىلىدۇ ، بۇلار رادار ، مىكرو دولقۇنلۇق ئوچاق ۋە مىللىمېتىر دولقۇن ئالاقىسى ، دەرىجىدىن تاشقىرى يۇقىرى سۈرئەتلىك كومپيۇتېر ۋە ئوپتىك تالا ئالاقىسىدە ئىشلىتىلىدۇ.N تىپلىق GaAs ئاساسلىقى LD ، LED ، ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق لازېر ، كىۋانت قۇدۇق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېر ۋە يۇقىرى ئۈنۈملۈك قۇياش ئېنېرگىيىسى ھۈجەيرىسىدە ئىشلىتىلىدۇ.
خاسلىقى
| خرۇستال | دوپپا | ئۆتكۈزۈش تىپى | ئېقىننىڭ قويۇقلۇقى cm-3 | زىچلىقى cm-2 | ئۆسۈش ئۇسۇلى |
| GaAs | ياق | Si | / | <5 × 105 | LEC |
| Si | N | > 5 × 1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~ 2 × 1018 | |||
| Zn | P | > 5 × 1017 |
GaAs Substrate Definition
GaAs تارماق ئېلېمېنتى گاللىي ئارسېند (GaAs) خرۇستال ماتېرىيالدىن ياسالغان تارماق ئېلېمېنتنى كۆرسىتىدۇ.GaAs گاللىي (Ga) ۋە ئارسېن (As) ئېلېمېنتلىرىدىن تەركىب تاپقان بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ.
GaAs تارماق ئېلېمېنتلىرى ئېسىل خۇسۇسىيەتلىرى سەۋەبىدىن ئېلېكترون ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ساھەسىدە دائىم ئىشلىتىلىدۇ.GaAs تارماق قىسمىنىڭ بەزى مۇھىم خۇسۇسىيەتلىرى:
1. ئېلېكتروننىڭ يۆتكىلىشچانلىقى يۇقىرى: GaAs ئېلېكترونلۇق ھەرىكەتچانلىقى كرېمنىي (Si) قاتارلىق كۆپ ئۇچرايدىغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارغا قارىغاندا يۇقىرى.بۇ ئالاھىدىلىك GaAs نى يۇقىرى چاستوتىلىق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرگە ماسلاشتۇرىدۇ.
2. بىۋاسىتە بەلۋاغ پەرقى: GaAs نىڭ بىۋاسىتە بەلۋاغ پەرقى بار ، يەنى ئېلېكترون ۋە تۆشۈكلەر قايتا ھاسىل بولغاندا ئۈنۈملۈك نۇر قويۇپ بېرىش پەيدا بولىدۇ.بۇ ئالاھىدىلىك GaAs نىڭ نۇر تارقىتىدىغان دىئود (LED) ۋە لازېر نۇرلۇق ئېلېكترون قوللىنىشچان پروگراممىلىرىغا ماس كېلىدۇ.
3. كەڭ بەلۋاغ: GaAs نىڭ كرېمنىيغا قارىغاندا كەڭ بەلۋاغ بار ، ئۇ تېخىمۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا مەشغۇلات قىلالايدۇ.بۇ خاسلىق GaAs ئاساسىدىكى ئۈسكۈنىلەرنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدا تېخىمۇ ئۈنۈملۈك مەشغۇلات قىلىشىغا يول قويىدۇ.
4. تۆۋەن شاۋقۇن: GaAs تارماق ئېغىزى تۆۋەن شاۋقۇن ئاۋازىنى نامايەن قىلىپ ، تۆۋەن ئاۋاز كۈچەيتكۈچ ۋە باشقا سەزگۈر ئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.
GaAs تارماق ئېلېمېنتلىرى ئېلېكترونلۇق ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ ، بۇلار يۇقىرى سۈرئەتلىك ترانس ist ورستور ، مىكرو دولقۇنلۇق توپلاشتۇرۇلغان توك يولى (IC) ، يورۇقلۇق ۋولت ھۈجەيرىسى ، فوتون تەكشۈرگۈچ ۋە قۇياش ئېنېرگىيىسى ھۈجەيرىسىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
بۇ تارماق ئېلېمېنتلار مېتال ئورگانىك خىمىيىلىك ھور چۆكمىسى (MOCVD) ، مولېكۇلا نۇرلۇق ئېپىتاكسىيىسى (MBE) ياكى سۇيۇقلۇق باسقۇچلۇق يۇقۇملىنىش (LPE) قاتارلىق ھەر خىل تېخنىكىلار ئارقىلىق تەييارلىنىدۇ.ئىشلىتىلگەن كونكرېت ئۆسۈش ئۇسۇلى كۆزلىگەن قوللىنىشچان پروگرامما ۋە GaAs تارماق لىنىيىسىنىڭ سۈپەت تەلىپىگە باغلىق.
